掺杂ZnO超快闪烁晶体的生长研究

项目名称： 掺杂ZnO超快闪烁晶体的生长研究

项目编号： No.50972093

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 徐家跃

作者单位： 上海应用技术学院

项目金额： 30万元

中文摘要： 基于氘-氚原子核反应的小型加速器核探测仪广泛应用于医学影像、工业生产以及国土安全等领域。ZnO单晶以中等密度（ρ.6g/cm3）、潜在的高光输出及快衰减（τ65124;1ns）等优良特性成为备受关注的快闪烁材料。掺杂ZnO体系具有更好的闪烁性能和优良的化学和热稳定性，闪烁发光峰在390nm附近，能很好地与光电倍增管相匹配，是一种非常有潜力的α#31890;子探测材料。但传统方法很难获得具有一定掺杂量的高质量ZnO单晶。本项目采用助熔剂-坩埚下降法生长Ga ，In等掺杂的ZnO超快闪烁晶体，优化生长工艺，研究掺杂离子及掺杂量与闪烁性能之间的关系，探索掺杂ZnO单晶在α31890;子探测器上的应用。

中文关键词： ZnO；闪烁性能；晶体生长；助熔剂-下降法；

英文摘要：

英文关键词： ZnO；Scintillation；crystal growth；flux-Bridgman method；