透明氧化物异质结的电阻开关效应研究

项目名称： 透明氧化物异质结的电阻开关效应研究

项目编号： No.61404085

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 王涛

作者单位： 上海师范大学

项目金额： 28万元

中文摘要： 本项目拟采用脉冲激光沉积法制备Ga2O3薄膜，研究薄膜的微观结构、光学性能和电学性能，开展n-Ga2O3/p- La0.67Ca0.33MnO3异质结的制备及其光电性能研究，探索Ga2O3薄膜的电阻开关性质，在此基础上，研究采用异质p-n结调整薄膜电阻开关性能，研究异质结的电阻记忆特性与铁磁特性的耦合关系，探索并利用其间的内在作用规律对电阻记忆特性进行有效调控。结合电阻记忆过程异质结界面处微观信息的变化，揭示电阻记忆特性的微观物理机制。解决Ga2O3及其异质结薄膜电阻存储器件的稳定性和耐疲劳性问题，阐明材料微观结构和性能与器件功能之间的关联和规律。

中文关键词： 脉冲激光沉积；异质结；电阻开关；；

英文摘要： Based on the investigation of microstructure, optical and electrical properties of Ga2O3 films prepared by pulsed laser deposition method, the photoelectric performances of the p-n heterojunction combining with the intrinsic p- La0.67Ca0.33MnO3 films woul

英文关键词： pulsed laser deposition；heterostructure；resistive switching；；