高品质GaSb、GaAsSb纳米线在Si上分子束外延定向生长

项目名称： 高品质GaSb、GaAsSb纳米线在Si上分子束外延定向生长

项目编号： No.61404127

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 俞学哲

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 26万元

中文摘要： 半导体纳米线赋予传统的半导体材料新的生机，被认为是可以延续微电子学发展步伐的重要材料。作为一种独特的近窄禁带半导体，GaSb是一种重要的光电材料，在p型高速电子器件中有潜在的应用价值。本项目拟通过分子束外延技术在Si(111)衬底上外延定向生长Ga液滴催化的高品质GaSb半导体纳米线及As组分在0-100%内完全可调控的GaAsSb三元化合物半导体纳米线；对其形貌与结构特征、光学与电学性质等进行表征；研究GaAsSb纳米线组分对其材料性质与电子能带结构的影响；探索研制以GaSb纳米线为沟道的场效应晶体管。通过可控的纳米线生长工艺，结合结构表征和性能测量手段，获得GaSb以及GaAsSb纳米线的制备条件与结构、物理性质和器件性能之间的关系，最终达到可以调控制备GaSb和GaAsSb纳米线的程度，以便得到所需要的器件参数，为基于GaSb和GaAsSb纳米线的高性能器件提供物理原理和技术指导。

中文关键词： 纳米线；分子束外延生长；锑化镓；三元化合物半导体；硅衬底

英文摘要： Semiconductor nanowires are regarded as a kind of important material to continue the remarkable successes of traditional microelectronics. As a near narrow band-gap semiconductor, GaSb is an important optoelectronic material and has potential applications

英文关键词： Nanowire；Molecular beam epitaxy；GaSb；Ternary compound semiconductor；Si substrate