准一致熔PMN-PT基赝三元系高Trt弛豫铁电材料的MPB组分设计与强制对流条件下的晶体生长

项目名称： 准一致熔PMN-PT基赝三元系高Trt弛豫铁电材料的MPB组分设计与强制对流条件下的晶体生长

项目编号： No.50972071

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 李强

作者单位： 清华大学

项目金额： 35万元

中文摘要： 通过探讨具有强离子极化作用的ABO3复合钙钛矿结构B位离子置换对MPB组分PMN-PT弛豫铁电材料结构相变温度Trt的影响规律，筛选既能提高PMN-PT体系Trt，又能在该体系中具有接近于1的有效分凝系数的B位替代离子，建立、优化PMN-PT基高结构相变温度（Trt）弛豫铁电材料的MPB组分设计原则和理论模型。将能实现固液界面强制对流的坩埚变速旋转技术（ACRT）与可变垂直温度梯度的坩埚下降晶体生长技术相结合，尝试从源头上解决多组元复合钙钛矿结构熔体法生长晶体过程中易形成的组分过冷和晶体组分偏析问题。为揭示复合钙钛矿结构弛豫铁电材料体系中普遍存在的四方与三方铁电相结构相变的相变机理与弛豫特性的内在联系，探索高性能准一致熔PMN-PT基高结构相变温度（Trt ）赝三元系复合钙钛矿结构弛豫铁电单晶的生长机制和技术，提供重要的理论和实验依据。

中文关键词： PMN-PT-PFN；弛豫铁电体；单晶；准同型相界；Trt

英文摘要：

英文关键词： PMN-PT-PFN；Relaxor Ferroelectrics；Single Crystal；MPB；Trt