MgZnO深紫外探测材料、器件的关键科学问题研究

项目名称： MgZnO深紫外探测材料、器件的关键科学问题研究

项目编号： No.11134009

项目类型： 重点项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 申德振

作者单位： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

项目金额： 320万元

中文摘要： 深紫外探测在导弹预警、保密通讯和天文观测等领域具有广阔的应用前景，高的结晶质量和强的抗辐射特性使MgZnO半导体合金成为具有巨大潜力的深紫外探测材料。高质量合金制备、高效率p型掺杂和高响应低噪声器件是MgZnO深紫外弱光探测必须解决的问题。本项目针对上述难题，在阐明MgZnO材料的结晶相稳定性、能带结构及其相关光电特性随Mg组分增加的演变规律与内在机制等基本物理问题的基础上，通过MgO/ZnO超薄超晶格避开热平衡相图限制实现具有合适跃迁能量的高质量合金；利用氮、氯元素对MgZnO中的氧进行交叉置换掺杂，通过它们高的价电子轨道提高价带顶位置，使受主离化能降低，为深紫外波段MgZnO半导体p型掺杂提供可行方案；通过将连续光电信号转变为强脉冲输出的思路，进行信号可控放大的新型紫外探测器件设计与制备，为实现自放大和低噪声的深紫外探测器件奠定基础。使我国在全固态深紫外探测领域达到国际先进水平。

中文关键词： MgZnO；深紫外；p型掺杂；雪崩探测器；

英文摘要：

英文关键词： MgZnO；Deep UV；p-type doping；avalanche photodiode；