InN金属-绝缘体-半导体器件的制作及低温输运测量

项目名称： InN金属-绝缘体-半导体器件的制作及低温输运测量

项目编号： No.11204334

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 物理学I

项目作者： 康亭亭

作者单位： 中国科学院上海技术物理研究所

项目金额： 30万元

中文摘要： 本研究将致力于制作氮化铟(InN)金属-绝缘体-半导体（MIS）器件结构，并对其做低温电学输运的测量，研究InN 表面电子聚积层的输运特性，以期能够找到控制InN 表面态输运的方法。我们所要采用的MIS结构能够很方便的在各种极端条件下实现肖特基接触。这解决了InN研究界广泛使用的电解液接触只能在室温附近稳定使用的不便。利用MIS结构，我们将尝试控制InN 表面态中的电子浓度，再利用低温和变温的手段，找到InN 表面态中的电子结构的变化的规律。 同时，一些有趣的问题，比如InN中由表面态输运到体材料输运的转变，InN 表面层中的多子带输运，也有望被观察到。我们的工作还能验证一些研究InN 表面层的间接方法（比如多层模型）的有效性。本研究包括了InN材料生长，器件制作和低温电学测量几部分，将加深人们对InN的器件应用和物理特性的了解。

中文关键词： 氮化铟；金属-绝缘体-半导体器件；表面；光电导；

英文摘要： Indium nitride (InN), as a promising semiconductor for infrared and electronic application, has always been a popular research topic in worldwide. However, on InN surface, there is a unique surface state-surface electron accumulation layer(SEAL), which hampers the efforts in realizing p-type InN, Schottky contact to InN and related InN devices. We devote ourselves to the fabrication of InN Metal-Insulator-Semiconductor(MIS) structures and the low-temperature transport measurements of this MIS structures. We are mostly interested in the transport properties of InN SEAL, which may find a way to control the transport behavior of InN SEAL. So that the understanding of P-type InN can be improved. Compared with the widely used electrolyte-based Schottky contact(which is only stable near room temperature and not convenient due to its big size,liquid form and active chemical property) to InN , the MIS structure is much stable against the extreme experimental condition, like the routine low temperature(77K,4.2 K or below) required by electrical transport experiments. Using this InN MIS structure, we will try to modulate the electron concentration in SEAL. Then combining the method of low-temperature and temperature-varying measurements, we may find some important rules governing the evolution of the electronic structur

英文关键词： InN；Metal-Insulator-Semiconductor；surface；photoconductivity；