铁磁性MnSi有序超薄膜在Si基底上的外延生长及其掺杂特性研究

项目名称： 铁磁性MnSi有序超薄膜在Si基底上的外延生长及其掺杂特性研究

项目编号： No.61176017

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 邹志强

作者单位： 上海交通大学

项目金额： 48万元

中文摘要： 近年来的理论研究表明，外延生长在Si基底上的MnSi超薄膜具有50%的自旋极化率和200-300K的居里温度，是很有竞争力的Si基底自旋极化电子注入材料，然而，目前实验上还没有在技术上更为重要的Si(001)基底上外延生长出MnSi有序超薄膜，并且理论预言的居里温度值还没有达到实际应用的要求。本申请拟采用Mn、Si双源共蒸发的分子束外延技术在Si(111)和(001)基底上外延生长铁磁性MnSi有序超薄膜，利用超高真空扫描隧道显微镜、自旋极化扫描隧道显微镜、X射线吸收精细结构、透射电镜、综合物性测量系统（Quantum Design公司）等手段研究生长条件、掺杂元素（Co和C等）和掺杂浓度对MnSi薄膜的生长模式、结构、电学和磁学性能的影响，了解掺杂MnSi超薄膜中铁磁性形成和增强的物理机制，最终在Si基底上外延生长出具有高居里温度的铁磁性MnSi有序超薄膜。

中文关键词： 超高真空扫描隧道显微镜；分子束外延生长；MnSi薄膜；硅基底；电学和磁学特性

英文摘要：

英文关键词： Ultrahigh vacuum scanning tunneling microscopy；Molecular beam epitaxy growth；MnSi thin films；Silicon substrates；Electrical and magnetic properties