基于Si/SiC异质结的非紫外光控SiC大功率电力电子器件可行性研究

项目名称： 基于Si/SiC异质结的非紫外光控SiC大功率电力电子器件可行性研究

项目编号： No.51177134

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 电气科学与工程学科

项目作者： 陈治明

作者单位： 西安理工大学

项目金额： 65万元

中文摘要： 接续一年期预研项目"以SiC为衬底的Si/SiC异质结制备及其光电特性"（61076011），利用Si/SiC异质结对可见光和近红外光的高敏感性和较强的光电流输出，通过与SiC主开关器件的单片集成，实现SiC功率开关器件的非紫外光直接触发。是预研项目向实际应用的扩展。在预研项目通过优化晶粒尺寸及其结晶取向等手段提高光电流输出的基础上，探索利用应变单晶硅薄层构造单晶Si/SiC单异质结和多异质结（超晶格）进一步提高光电流密度的可行性；研究直接光控SiC大功率开关器件的触发原理及其对光触发元件的基本要求；研究不同结构形式Si/SiC异质结的光谱响应、光电转换效率及其与主器件实现单片集成的可行性。研究内容还包括降低SiC功率开关器件阈值电流的途径和器件制造的关键工艺。通过对材料参数、工艺参数和器件结构参数的优化，实现用Si/SiC异质结非紫外光生电流对SiC大功率开关器件的灵敏触发。

中文关键词： 碳化硅；异质结；光触发；光控开关；电力电子器件

英文摘要：

英文关键词： Silicon carbide；Heterojunction；Light triggeration；Light-triggered switch；Power devices