利用UHV-STM研究碳元素诱导的高密勒指数硅表面的表面重构

项目名称： 利用UHV-STM研究碳元素诱导的高密勒指数硅表面的表面重构

项目编号： No.10964014

项目类型： 地区科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 轻工业、手工业

项目作者： 朱永哲

作者单位： 延边大学

项目金额： 24万元

中文摘要： 最近的研究表明当某些Si(5 5 12)-2x1样品的表面在以高温长时间加热时会发生不可逆转的表面结构的相变。结果从具有5.35nm线间距的一维对称结构的Si(5 5 12)-2x1变成了大面积的晶胞(unit cell)尺寸为1.54nm×57nm的(337)-4×#30340;表面重构与(113)面的组合结构。根据文献检索这种结构形成的原因很可能是存在于硅单晶中的微量的碳元素引起的。本项目拟采用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)研究：高密勒指数Si(5 5 12)-2x1及邻近的表面(vicinal surface)在吸附外来的碳元素时是否会产生这种结构，以及揭示多种取向的Si(5 5 12)-2x1的邻近表面在高温退火时发生这种不可逆转的表面结构的相变的规律。从而揭示(337)- 4×#24418;成的原因以及常规的制作该结构的方法。提供一种制作纳米量子器件的模板(template)。

中文关键词： 超高真空扫描隧道显微镜；高指数表面；吸附；铟；表面重构

英文摘要：

英文关键词： UHV-STM；high index Surface；adsorption；Indium；surface reconstruction