硅基III-V族外延量子点RTD隧穿陀螺仪的基础效应研究

项目名称： 硅基III-V族外延量子点RTD隧穿陀螺仪的基础效应研究

项目编号： No.61171056

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 刘俊

作者单位： 中北大学

项目金额： 63万元

中文摘要： 本项目研究目标是揭示硅基衬底上外延生长的III-V族量子点微纳机械结构中量子点共振隧穿二极管（QD-RTD）的介观压阻效应，及其对外部力学信号产生的机械应力或应变的敏感机理。建立QD-RTD介观压阻效应及其力电耦合的理论模型，开发硅基RTD嵌入式微陀螺结构加工工艺，研究基于片内集成QD-RTD敏感器件的嵌入式微纳机械结构力电特性测试方法，研制新型硅基QD-RTD高灵敏微机械MEMS陀螺仪，验证基于QD-RTD器件嵌入式微纳机械结构的高灵敏度特性和陀螺哥氏效应相结合的可行性，发展一类具有自主知识产权的高灵敏、高精度的新型力敏MEMS传感器件。

中文关键词： 硅基QD-RTD；MEMS嵌入式结构；力电耦合；介观压阻效应；

英文摘要：

英文关键词： QD-RTD on silicon；MEMS embedded structure；mechanical/electrical coupling effect；Meso-piezoresistance effect；