缺陷和非磁性元素掺杂诱导的氮化镓纳米结构磁性机理及调控研究

项目名称： 缺陷和非磁性元素掺杂诱导的氮化镓纳米结构磁性机理及调控研究

项目编号： No.51172193

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 简基康

作者单位： 新疆大学

项目金额： 60万元

中文摘要： 缺陷和非磁性元素掺杂调制的磁性半导体纳米结构是稀磁半导体研究领域的前沿方向。GaN纳米结构具有优异的光电性质，而缺陷和非磁性元素掺杂对其磁性的作用机理和调控技术目前还缺乏系统研究。本项目拟以GaN纳米结构为研究对象，通过化学气相沉积、固相反应氮化、后期特定气氛热处理、化学刻蚀等实验手段，可控制备缺陷和非磁性元素掺杂的GaN纳米结构，利用结构、成份、磁学、光学、电学等物化表征手段，系统研究材料的缺陷、掺杂、形貌等关键参数对其磁性质的影响，揭示磁性的产生机制，发展出利用缺陷和非磁性元素掺杂调控GaN纳米结构磁性的新实验技术，获得集磁、光、电多种优异性质于一体的GaN纳米结构，为其在自旋光电子器件中的应用打下研究基础。

中文关键词： 氮化镓；纳米结构；磁性；掺杂；缺陷

英文摘要：

英文关键词： GaN；nanostructures；magnetic property；doping；defect