近、中红外波段含Sb DWELL结构激光器研究

项目名称： 近、中红外波段含Sb DWELL结构激光器研究

项目编号： No.61370043

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 李占国

作者单位： 长春理工大学

项目金额： 60万元

中文摘要： 申请人在承担青年基金过程中，系统深入地开展低维In(Ga)As DWELL激光器材料、中红外In(Al)GaAsSb DWELL激光器材料的MBE外延生长技术研究，探索了1.5-2.2μm近、中红外波段In(Ga)As(Sb)低维量子尺寸激光器材料制备技术。通过优化材料质量，深入开展工艺研究，制备了位于该波段的半导体激光器件，为进一步开展近、中红外波段半导体激光器材料和器件研究提供了基础材料和技术支持。本项目申请将继续开展包括 1.5-2.2μm波段新材料结构的制备和器件制备工作，为进一步开展高性能近、中红外含Sb DWELL结构工作打下良好的工作基础。

中文关键词： 锑化物；1.5-2.3 微米波段；Sb基量子点；激光器；

英文摘要： We performed a systematic study on growth and fabrication of multi-layer quantum dots-in-well laser structure (DWELL)Low-dimensional quantum dots located in the 1.5-2.2μm near- and mid–infrared wavelength range has become one of the international frontier

英文关键词： antimonide；1.5-2.3 um band；Sb-based quantum dot；laser diode；