钛锑碲相变材料的相变机理与微缩特性研究

项目名称： 钛锑碲相变材料的相变机理与微缩特性研究

项目编号： No.61376006

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 宋三年

作者单位： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

项目金额： 80万元

中文摘要： 相变存储器（PCM）是最具竞争力的下一代非易失性半导体存储器，具有广阔的市场前景。TiSbTe是我国自主研发的新型相变材料，具有相变速度快、功耗低、循环寿命长的特点，然而该材料的相转变机理和微缩特性尚不明确，制约了其在PCM中的应用。本项目研究内容主要分为两个部分：（一）采用透射电子显微镜、X射线吸收精细结构技术和载流子输运特性测试等实验手段对TiSbTe材料的相转变过程、相变前后的原子近邻结构以及载流子的变化情况进行研究。在阐明材料原子结构的基础上，通过理论计算模拟材料的相转变过程，从原子尺度揭示该材料的相转变机理；（二）采用电子束曝光、聚焦离子束刻蚀等纳米加工手段结合电学测试与显微结构分析研究TiSbTe材料的微缩特性，掌握材料相变性能与器件尺寸、晶粒尺寸以及界面的关系，并阐明其内在物理机制。上述科学问题的阐明将会在理论和工程方面推动TiSbTe材料的发展。

中文关键词： 相变存储器；相变材料；相变机理；尺寸效应；

英文摘要： Phase change memories are considered as one of the most promising solutions for future non-volatile memories. TiSbTe, with high speed and low power consumption, is a promising phase change material based on Chinese intellectual property. However, the phas

英文关键词： phase-change random access memory；phase-change material；phase change mechanism；size effects；