氧化亚铜的n型磁控溅射掺杂及同质结研究

项目名称： 氧化亚铜的n型磁控溅射掺杂及同质结研究

项目编号： No.61204010

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 信息四处

项目作者： 叶凡

作者单位： 深圳大学

项目金额： 24万元

中文摘要： 未掺杂氧化亚铜为p型半导体，实现其n型掺杂对制备氧化亚铜同质结及提高其太阳能电池的转换效率有重要意义。但是，掺杂能否实现氧化亚铜的n型导电仍需深入研究：虽然电化学沉积制备的掺氯氧化亚铜为n型，但这种由间接测试推断出的n型导电到底来源于表面反型层还是掺杂仍需澄清；尽管掺入一些高价态金属元素的氧化亚铜仍为p型，但由于掺杂浓度范围较小，所以并不能确定这些施主杂质不能使氧化亚铜转变为n型；另外，有些施主杂质甚至没有被掺入氧化亚铜以研究其导电类型。本项目计划解决上述问题。磁控溅射在制备及掺杂氧化亚铜上简便易行，且衬底无须导电，有利于直接测试所沉积膜层的导电类型。本项目计划用磁控溅射的方法，往氧化亚铜中掺入氯、氟、锌及铟等杂质元素，以实现氧化亚铜的n型导电，并在此基础上制备氧化亚铜同质结及研究其光电性能。本项目对真正实现氧化亚铜的n型导电及深入认识其n型掺杂有重要意义。

中文关键词： 氧化亚铜；n型；磁控溅射；掺杂；同质结

英文摘要： Undoped cuprous oxide is a p-type semiconductor.Doping cuprous oxide n-type is of importance for fabricating its homojunctions and improving the conversion efficiency of solar cells based on cuprous oxide homojunctions. However, whether doping can genera

英文关键词： cuprous oxide；n-type；magnetron sputtering；doping；homojunction