中频脉冲直流磁控溅射放电机理与镀膜应用

项目名称： 中频脉冲直流磁控溅射放电机理与镀膜应用

项目编号： No.50907071

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 电工技术

项目作者： 邱清泉

作者单位： 中国科学院电工研究所

项目金额： 20万元

中文摘要： 近几年来，中频脉冲直流磁控溅射在镀膜工艺中得到了越来越多的应用。脉冲电压的幅值、频率、占空比和极性对放电等离子体密度、能量等特征参数有着很大影响，而等离子体特征参数又进一步对镀膜速率、薄膜结构和特性产生影响。因此，对于中频脉冲磁控溅射的放电机理进行研究，对于提高镀膜速率和薄膜质量具有十分重要的意义。然而，目前对中频脉冲磁控溅射的放电机理探讨明显不足。本课题拟以制备Cu薄膜和ZnO薄膜为例，采用理论分析、等离子体仿真、放电特性测量和薄膜特性测量相结合的手段，重点对电源参数对放电特性的影响，以及等离子体参数对薄膜结构和特性的影响展开研究。在此基础上，对电源参数和磁场、基板偏压等其他参数的配合进行优化。

中文关键词： 脉冲直流；磁控溅射；放电；等离子体；薄膜

英文摘要：

英文关键词： pulsed dc；magnetron sputtering；discharge；plasma；film