氮化铜结构的金属原子选择占位掺杂问题研究

项目名称： 氮化铜结构的金属原子选择占位掺杂问题研究

项目编号： No.10904165

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 纪爱玲

作者单位： 中国科学院物理研究所

项目金额： 23万元

中文摘要： 氮化铜Cu3N具有反ReO3结构，是一种很好的无机基质材料，单胞内可嵌入一个金属原子，使其原子结构与电子结构同时调制，因而其电学、光学和热稳定性等物理性质可在很大的空间内得到剪裁。Cu3N还是一种性质特殊的半导体材料，低温热分解这一突出特性使其在光存储器件、微电子学和高速集成电路等领域有广泛的应用前景。关于氮化铜的选择占位掺杂问题研究刚刚起步。我们拟采用反应溅射、（等）离子束辅助沉积等薄膜生长方法，通过选择合适的金属元素（Mg、Fe、Co、In、Pd及Zn等）对Cu3N薄膜进行选择性占位掺杂，获得一系列高质量、原子结构明晰的新薄膜材料；研究掺杂后薄膜的微观结构；探索实现选择性占位掺杂的有效途经；研究掺杂后薄膜发生半导体金属相变的机理；研究掺杂后薄膜的光电磁性、热稳定性甚至超导电性等新颖的物理性质，为Cu3N基薄膜在光存储器件、半导体器件及其金属化方面的应用提供研究基础。

中文关键词： 氮化铜；薄膜；半导体金属相变；电导率；

英文摘要：

英文关键词： Cu3N；thin film；semiconductor-metal transition；electrical conductivity；