氧化物铁电薄膜在贱金属基片上的生长与界面调控研究

项目名称： 氧化物铁电薄膜在贱金属基片上的生长与界面调控研究

项目编号： No.51372034

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 林媛

作者单位： 电子科技大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 贱金属（如镍、铜等）基片上集成铁电氧化物薄膜，在高密度埋入电容器、结构健康检测以及微机电系统等领域中展现出诱人的应用前景。由于存在基片易氧化、界面扩散、基片与薄膜失配严重等问题，在高质量薄膜的可控生长与性能调控上仍具有相当大的挑战，而界面调控是其中的关键。本项目拟利用高分子辅助沉积（PAD）方法易于精确调节薄膜生长热力学平衡条件的优势，实现贱金属基片上氧化物铁电薄膜的可控生长，并通过调控界面应力和互扩散，实现对薄膜磁电特性的调控，达到改善集成薄膜介电、铁电、磁电耦合等性能的目的。本项目将采用PAD方法和多种检测手段，系统地获得"生长条件-微结构-磁电性能"的实验数据，研究界面微结构的形成、变化规律及其与磁电性能的关联性，进而寻找调控、改善界面和磁电特性的方法，探索其中的物理机制。本项目将为认识氧化物/贱金属界面演变的物理化学本质提供有力的实验支撑，为基于该类型薄膜的器件应用奠定材料基础。

中文关键词： 界面；磁电耦合；氧化物铁电薄膜；金属基片；漏电

英文摘要： Integration of ferroelectric oxide thin films with base-metallic substrates such as Ni or Cu, has shown promising potential in applications of high density embedded capacitors, structure health monitoring and MEMS systems. However, due to the easy oxidati

英文关键词： interface；magnetoelectric coupling；oxide ferroelectric thin film；metallic substrate；leakage current