晶圆原子尺度粗糙度形成过程中机械化学协同作用机理

项目名称： 晶圆原子尺度粗糙度形成过程中机械化学协同作用机理

项目编号： No.51405511

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 机械、仪表工业

项目作者： 李静

作者单位： 中国石油大学（华东）

项目金额： 25万元

中文摘要： 随着下一代极大规模集成电路（ULSI）制造过程中，晶圆化学机械平坦化（CMP）工艺不断向更高精度发展，原子尺度的表面粗糙度制造成为亟待解决的关键性难题之一。本项目通过耦合电化学和微力学系统，分析晶圆表面化学反应活化能的演变规律和纳米颗粒作用下的材料去除机制，阐明平坦化过程中的机械化学协同作用机理；在此基础上，结合CMP工艺实验和理论建模，在微观材料去除-机械化学协同作用-表面粗糙度之间建立关联机制，揭示晶圆原子尺度表面粗糙度的形成机理；并进一步探索CMP过程中化学反应与机械去除的控制规律，为优化CMP抛光液配方和工艺参数提供理论支持和实验依据。

中文关键词： CMP；理论模型；全局平整度；1;2;4-三唑；铜晶圆

英文摘要： In the ultra large scale integration (ULSI) process，as wafer chemical mechanical planarization (CMP) is developing to higher precision, the atomic scale surface roughness manufacturing becomes one of the key problems to be solved. Firstly, by coupling ele

英文关键词： Chemical mechanical polishing/planarization；Modelling；Global uniformity；1;2;4-triazole；Copper wafer