基于锁相、倍频及功率合成技术的CMOS单片集成太赫兹源研究

项目名称： 基于锁相、倍频及功率合成技术的CMOS单片集成太赫兹源研究

项目编号： No.61372021

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 高海军

作者单位： 杭州电子科技大学

项目金额： 84万元

中文摘要： 介于微波与远红外光之间的太赫兹波呈现宽带性、瞬态性和良好的穿透性等优点，具有重要的研究价值和广阔的应用前景。太赫兹源是实现太赫兹应用的关键和瓶颈，而纳米尺度硅基CMOS工艺为实现小型、稳定的固态太赫兹源提供了技术支撑。本项目研究基于锁相、倍频和功率合成技术的CMOS太赫兹信号源，利用负阻增强压控振荡器和锁相环路产生稳定、低相噪的120GHz I/Q振荡源，利用I/Q输出中二次谐波相位关系和基于传输线的谐波选择器产生240GHz的差分信号，利用此差分信号驱动高效无源二倍频电路输出频率为0.48THz、合成功率达mW级的太赫兹信号。本项目探索用硅基工艺实现单片集成THz电路的可行性和潜在的优势，充分利用先进的硅基CMOS工艺并结合新型器件、新型电路拓扑来实现高性能太赫兹信号，以期解决已有太赫兹信号源其稳定性、可调性、及输出功率等性能受限的问题，为太赫兹波的研究和推广应用打下坚实基础。

中文关键词： 太赫兹；硅基CMOS；无源结构；压控振荡器；信号源

英文摘要： The terahertz (THz) frequency, located between millimeter wave and infrared ray，exhibits advantages such as wideband, transient nature and high penetration ability, and shows great research value and wide-application prospect. The THz source is the bottle

英文关键词： THz；Silicon Based CMOS；Passive Structure；Voltage Controlled Oscillator；Signal Source