高性能4H-SiC PIN 紫外光电探测器一维阵列的研制

项目名称： 高性能4H-SiC PIN 紫外光电探测器一维阵列的研制

项目编号： No.61176049

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 吴正云

作者单位： 厦门大学

项目金额： 60万元

中文摘要： 本项目综合考虑影响SiC探测器性能的诸多因素，通过芯片结构的理论设计和制备工艺的优化，着重研究抑制探测器暗电流和提高探测率的方法，采用氧化硅/氧化铝（SiO2/Al2O3）复合钝化/抗反射层，研究该复合层结构中各层之间的力、热、光及电学匹配，制备出高质量的钝化/抗反射层，以提高入射效率、抑制探测器芯片的漏电流。通过对阵列探测单元尺寸和间距进行优化设计、提高各单元的均匀性、改善单元之间的隔离、抑制单元之间的串扰等多个关键技术问题开展研究，最终完成高性能PIN结构光电探测器一维阵列的研制，并对器件的光电特性进行测试研究。预期所研制的探测器一维阵列将具有较低的漏电流、较高的光电响应度和探测率，并具备良好的紫外/可见光盲特性。研究成果将有望应用于实际的紫外信号探测领域，并具有极高的军事和民用价值。

中文关键词： 碳化硅；紫外探测器；PIN；一维探测阵列；

英文摘要：

英文关键词： SiC；UV photodiode；PIN；linear array photodiode；