III族氮化物半导体微腔结构中激子极化激元和受激辐射研究

项目名称： III族氮化物半导体微腔结构中激子极化激元和受激辐射研究

项目编号： No.60906025

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 刘斌

作者单位： 南京大学

项目金额： 24万元

中文摘要： 本申请以获得高Q因子的III族氮化物半导体微腔结构，实现激子极化激元在室温下受激辐射为研究目标，围绕微腔结构中光子-激子耦合和激子极化激元受激辐射两个基本物理过程，研究在大失配条件下III氮化物超晶格布拉格反射镜(DBR)和微腔结构的生长规律，探索光学微腔结构对光子的限制效应以及有源层量子阱结构的化学组分、极化作用对激子的限制效应，理论分析光子-激子的耦合过程及简并能带分裂，研究微腔结构中激子极化激元的拉比分裂能量和温度依存特性，研究微腔结构的受激辐射现象和阈值条件，为制备高效率低阈值的GaN基半导体激光器提供一种新研究思路和技术途径。

中文关键词： III族氮化物半导体；光电子器件；分布式布拉格反射镜；微腔结构；激子极化激元

英文摘要：

英文关键词： III-nitride semiconductor；optoelectronic devices；distributed Bragg reflectors；microcavities；exciton polaritons