ZnS基稀磁半导体材料结构和物性研究

项目名称： ZnS基稀磁半导体材料结构和物性研究

项目编号： No.11404279

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 陈红霞

作者单位： 盐城师范学院

项目金额： 25万元

中文摘要： 稀磁半导体材料同时利用电子的电荷属性和自旋属性，在磁感应器、高密度非易失性存储器、光隔离器、半导体集成电路、半导体激光器和自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景。随着稀磁半导体材料研究的深入开展，材料的转变温度已经得到很大的提高。但是对于实际应用而言，需要更高的转变温度。关于过渡金属掺杂II-VI半导体结构理论工作预言这些材料将会呈现出较高的转变温度。ZnS是一种重要的II-VI族直接带隙半导体，在显示器、传感器、激光和催化等领域有着广泛的应用。本项目采用结构建模和第一性原理计算相结合的方法，系统研究ZnS基稀磁半导体材料的结构和物理性能，我们将考察掺杂原子类型、缺陷种类以及体系晶格畸变等对材料磁性能的影响，揭示材料的结构与物理性质之间的联系，对比实验结果，完善对ZnS基稀磁半导体材料的认识。在深入理解结构特征的基础上进一步探索其性质，为实验制备和实际应用提供理论参考。

中文关键词： 第一项原理计算；稀磁半导体；物理性能；纳米材料；

英文摘要： By using of the electronic charge and spin attribute at the same time, Dilute magnetic semiconductor materials have broad application prospects in the magnetic sensors, high density non-volatile memory, optical isolator, semiconductor integrated circuits,

英文关键词： first-principles calcultion；diluted magnetic semiconductor；physical property；nanomaterial；