新型II-VI/III-V族多结叠层太阳电池材料与器件研究

项目名称： 新型II-VI/III-V族多结叠层太阳电池材料与器件研究

项目编号： No.61376058

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 崔利杰

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 83万元

中文摘要： 本课题提出了一种开发高效多结叠层太阳电池的新思路，即采用分子束外延（MBE）技术将III/V（Al、Ga、In、As、P、Sb）族和II/VI（Zn、Cd、Se、Te）族半导体材料结合起来研制具有高转换效率的新型全光谱多结太阳电池。这既充分利用了III/V和II/VI族材料在禁带宽度上互补的特点，又利用了它们在晶格常数上匹配的优势，克服了仅依靠III-V族材料很难同时满足能带和晶格匹配双重要求的难题。理论计算显示该结构的叠层电池可实现对太阳光的全光谱吸收，并可满足5结、6结甚至更多结数的电池设计要求。本课题以研制新型II-VI/III-V族高效多结叠层太阳电池的原型器件为目标，力争4年时间内深入研究电池材料生长和器件制造工艺，突破和掌握有自主知识产权的II-VI族材料的二次外延生长技术和叠层多结电池器件制造的关键技术，研制出光电转换效率初步达到28％的新型太阳电池原型器件。

中文关键词： II-VI族；分子束外延；光伏材料；太阳电池；III-V族

英文摘要： In order to further improve the efficiency of solar cell and realize solar spectrum matching, it is difficult to meet both bandgap and lattice-matched requirements that multi-junction solar cells only rely on III-V materials. Therefore, it is necessary to

英文关键词： II–VI semiconductors；molecular beam epitaxy；photovoltaic materials；solar cells；III–V semiconductors