基于低频噪声的有机场效应晶体管可靠性研究

项目名称： 基于低频噪声的有机场效应晶体管可靠性研究

项目编号： No.61404048

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 邓林峰

作者单位： 湖南大学

项目金额： 22万元

中文摘要： OFET在柔性显示等领域前景广阔，但可靠性问题是制约其规模应用的重要瓶颈。有机器件的优势在于低频领域，低频噪声在应用中难以忽视。OFET的载流子输运机理还未被完全认识。器件的低频噪声与可靠性、载流子输运、界面陷阱密切相关，影响器件性能，也间接反映其内部信息。本项目将对OFET的1/f噪声和RTS噪声进行研究。研究上述低频噪声的机理，以及低频噪声与载流子输运、界面陷阱分布和器件可靠性的内在联系。通过低频噪声研究界面附近陷阱的空间和能量分布。基于低频噪声研究OFET的可靠性，分析可靠性试验前后界面附近陷阱的空间和能量分布的变化及其机理。通过低频噪声并辅以其它的表面、界面表征手段，从微观上揭示阈值电压漂移，跨导退化等问题的本质。本项目的完成将阐明OFET低频噪声的机理，揭示界面陷阱分布与OFET器件可靠性的内在联系，深化对OFET载流子输运的理解，探索基于低频噪声研究有机器件可靠性问题的可行性。

中文关键词： 有机场效应晶体管；1/f噪声；低频噪声；随机电报噪声；过渡金属硫化物

英文摘要： OFET has potential to be applied widely such as flexible displays, but device reliability becomes a bottleneck for commercial application. Organic devices are advantageous in low frequency field, so low frequency noise can’t be neglected in practice. The

英文关键词： organic field-effect transistor；1/f noise；low frequency noise；random telegraph noise；transition metal dichalcogenides