La1-xSrxMnO3/In-MgZnO全氧化物外延异质结器件的制备与性能研究

项目名称： La1-xSrxMnO3/In-MgZnO全氧化物外延异质结器件的制备与性能研究

项目编号： No.61376014

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 庄琳

作者单位： 中山大学

项目金额： 86万元

中文摘要： 本项目提出利用青年科学基金项目中已经系统生长的In-MgZnO合金薄膜作为n型氧化物半导体材料，与p型La1-xSrxMnO3薄膜结合，在晶格常数匹配的单晶衬底上外延生长全氧化物La1-xSrxMnO3/InMgZnO薄膜异质结器件，器件具有良好的电学性能与磁学性能。系统研究不同掺杂比例的p层与n层薄膜所制备器件的整流性能，分析器件的界面电子传输与异质结电流产生机理；系统研究外加磁场变化作用下La1-xSrxMnO3薄膜的电阻率与异质结器件整流性能的变化，获得性能优良的对磁场敏感的电子器件，分析磁场作用下器件载流子的传输机理。同时研究温度变化条件下器件的电学、磁学性能变化，验证La1-xSrxMnO3/InMgZnO异质结器件的高温可操控性。在此基础上，在Si衬底上外延生长La1-xSrxMnO3/InMgZnO器件，验证器件与大规模集成电路集成的可行性。

中文关键词： La1-xSrxMnO3；薄膜异质结；整流性能；磁场调控；界面传输

英文摘要： This project presents to grow all-oxide epitaxial p-La1-xSrxMnO3/n-InMgZnO thin film heterojunction diodes with good electrical and magnetic properties on lattice-matched single-crystal substrates, in which the n-type In-MgZnO oxide alloy films ha

英文关键词： La1-xSrxMnO3；thin film heterojunction diode；rectifying property；magnetic-sensitive response；interface transportation