纳米“高k栅”CMOS电路在单粒子效应下的可靠性研究

项目名称： 纳米“高k栅”CMOS电路在单粒子效应下的可靠性研究

项目编号： No.11405270

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 刘保军

作者单位： 中国人民解放军空军工程大学

项目金额： 27万元

中文摘要： 随着核科学、微纳电子技术的发展，越来越多的电子器件被应用于极其恶劣的辐射环境中，遭受着高能粒子的辐照。技术节点的不断缩减，电路的临界电荷降低，使得单粒子效应（SEE）成为严重威胁集成电路可靠性的重要效应。本项目针对新工艺、新结构、新材料的纳米"高k栅"CMOS器件及其电路，研究其在SEE下的可靠性问题。首先系统分析高能粒子入射纳米"高k栅"CMOS器件的基本电离损伤机理，建立SEE的器件仿真模型，得到SEE产生的瞬态电流。其次，研究SEE对纳米"高k栅"CMOS电路的影响，分析Miller和串扰效应对SEE的影响，给出SET的判别标准，建立单粒子串扰的解析模型，最后，构建评估电路在SEU和SET下的可靠性模型，综合分析串扰效应、遮掩效应等对可靠性的影响。

中文关键词： 可靠性；单粒子效应；纳米“高k栅”CMOS；抗辐射；

英文摘要： With the development of nuclear science and micro-nano electronic technologies, more and more electronical devices are applied for serious radiation environment, which suffer from the radiation of the energetic particles. As technology node scales down, t

英文关键词： reliability；single event effect；nano-scale high-k gate CMOS；radiation-hardened；