元素掺杂SnO2透明导电氧化物薄膜中缺陷关联的载流子传输机制研究

项目名称： 元素掺杂SnO2透明导电氧化物薄膜中缺陷关联的载流子传输机制研究

项目编号： No.11404005

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 陈昌兆

作者单位： 安徽理工大学

项目金额： 30万元

中文摘要： 透明导电氧化物(TCO)薄膜具有优良的金属导电性，可见光范围的高透过性以及较高的红外反射率，在平板显示、触摸屏、太阳能电池电极和节能窗口等领域获得广泛的应用，也是开发透明电子器件不可缺少的材料。SnO2基TCO薄膜由于基体材料宽带隙、高激子结合能、优良的热、化学稳定性以及无毒性、原料来源丰富等特点，成为TCO材料的有力候选者。课题以明确SnO2基TCO薄膜的缺陷结构和载流子传输机制为目的，采用超声喷雾热解法制备高品质的SnO2基薄膜。通过元素掺杂工艺实现载流子类型及迁移率的可控性调节。综合运用同步辐射X射线衍射、光致发光谱等技术手段揭示薄膜中缺陷结构、生成及其动态变化，通过大温区内薄膜电阻率的测量揭示薄膜电阻的温度演化规律以及电荷传输机制，建立薄膜中缺陷结构、导电机理和光电性能之间的关联。这些研究对理解SnO2薄膜掺杂机理、实现可控性掺杂、促进它们在光电器件上的应用具有重要价值。

中文关键词： SnO2；透明导电氧化物；缺陷关联；载流子传输机制；

英文摘要： Transparent conducting oxide (TCO) films are widely used for optoelectronic device applications such as flat panel displays, touch screens, electrodes in solar cells, and energy-saving windows,etc.,due to its low resistivity, high transparency in the visi

英文关键词： SnO2；transparent conductive oxide；defect-associated；carrier transport mechanism；