压力下应变氮化物半导体量子点电子-声子相互作用及相关问题

项目名称： 压力下应变氮化物半导体量子点电子-声子相互作用及相关问题

项目编号： No.10964006

项目类型： 地区科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 闫祖威

作者单位： 内蒙古农业大学

项目金额： 23万元

中文摘要： 针对氮化物半导体具有较强的压电极化和自发极化效应，在发光方面和单轴异性的特殊性质，以及半导体量子点电子-声子耦合对尺寸依赖关系所体现的低维性质，集中研究压力下应变氮化物半导体量子点及异质结构中多支长波光学声子模及其与电子的耦合，导出相应而实用的电子-声子相互作用哈密顿量，分析压力及应变对电子-声子相互作用的影响。用行之有效的微扰法、改进的中间耦合LLP变分方法，还将发展新的方法，理论计算声子作用下应变氮化物半导体量子点体系中极化子、杂质态和激子态能级及相关问题的压力效应，讨论压力、应变的影响，并考虑外场、温度等效应。对氮化物半导体量子点电学、光学性质给出新的认识。力求解释和预言实验，指出压力下应变氮化物半导体在实验中的特性，能推动本领域的理论发展，为光吸收与发射提供依据，以期定量或半定量了解光学声子对电子行为，有利于深入认识微观世界和新型电子器件的研制，是既有理论意义，亦有应用背景的研究。

中文关键词： 氮化物半导体；量子点；压力；应变；电子-声子相互作用

英文摘要：

英文关键词： Nitride semiconductor；Quantum dot；Pressure；Strain；Electron-phonon interaction