CaCu3Ti4O12陶瓷直流电导的调控和击穿强度的提高

项目名称： CaCu3Ti4O12陶瓷直流电导的调控和击穿强度的提高

项目编号： No.50972118

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 李盛涛

作者单位： 西安交通大学

项目金额： 32万元

中文摘要： 航空、军事、工业等多个领域都需要高电能存储系统，高储能密度电容器的研制是其技术瓶颈。CaCu3Ti4O12陶瓷虽然具有相当高的介电常数(1万~10万),但其击穿强度低，介质损耗和直流电导较大,且电导呈非线性，极大地限制了它用作高储能密度电容器材料。聚集在晶界处的半导电CuO影响着CaCu3Ti4O12陶瓷显微结构和缺陷结构，它们是影响直流电导与击穿强度的关键因素。本项目首先采用共沉淀法制备CaCu3Ti4O12陶瓷，以改善陶瓷烧结特性和致密性，并通过改变CuO的添加量，对陶瓷的显微结构和缺陷结构进行调控，研究显微结构和缺陷结构对直流电导和击穿强度的影响规律和机制；应用掺杂改性、加入玻璃相等技术途径，对显微结构和缺陷结构进行精细的控制，进一步提高CaCu3Ti4O12陶瓷击穿强度，降低其介质损耗和电导，为CaCu3Ti4O12陶瓷做为高储能密度电容器材料提供理论依据和技术途径。

中文关键词： 钛酸铜钙陶瓷；介电性能；直流电导；缺陷结构；

英文摘要：

英文关键词： CaCu3Ti4O12 Ceramics；Dielectric Properties；dc Conductivity；Defect Structure；