高压垂直结构GaN基电力场效应晶体管的基础研究

项目名称： 高压垂直结构GaN基电力场效应晶体管的基础研究

项目编号： No.51407066

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 电工技术

项目作者： 文于华

作者单位： 湖南理工学院

项目金额： 26万元

中文摘要： 常关型氮化镓(GaN)基场效应晶体管的研究是近年来一个非常热门的课题。在目前严峻的能源危机挑战下，它的成功开发有利于突破Si电力电子器件的性能瓶颈，可有效降低电能传输与使用过程中的损耗。本项目申请人在前期工作“利用选择区域生长法制作常关型AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管”的研究基础上，提出一种全新的利用n型AlN层选择性区域氧化与AlGaN/GaN异质结构的二次生长，来制作高压垂直结构GaN基电力场效应晶体管的方法。这种新方法理论上可能研制出满足电力电子应用要求的高压，高阈值电压常关型器件。针对这一新方法，本项目研究着眼于原子层面的计算机模拟，以期建立从材料到器件的基础模型，为后续工艺实现提供理论支持。

中文关键词： 氮化镓；电力场效应晶体管；二次外延生长；垂直结构；分子动力学

英文摘要： Normally-off GaN based field effect transistor is a very hot topic in recent years. Successfully fabrication of GaN based normally-off device with excellent performance is sufficiently helpful for breaking the limit performance of Si device and economizin

英文关键词： GaN；Power MOSFET；Regrowth；Vertical；Molecular dynamics