半导体二维体系中自旋分裂各向异性的实验研究

项目名称： 半导体二维体系中自旋分裂各向异性的实验研究

项目编号： No.10874212

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2009

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 王文新

作者单位： 中国科学院物理研究所

项目金额： 44万元

中文摘要： 半导体自旋晶体管(spin-FET)利用了二维电子气中自旋－轨道耦合特性，在实现自旋有效输运的同时，通过外加电场来控制自旋态的翻转，来实现器件的功能。为了实现自旋操纵和自旋的有效输运，必需要求在半导体器件中，自旋有足够长的驰豫时间和高的迁移率。 本项目将利用在GaAs（001）衬底上，通过结构工程，利用分子束外延技术生长Rashba和Dresselhaus自旋－轨道耦合强度相接近(αβ的二维电子气材料，使得自旋分裂产生大的各向异性，从而实现自旋驰豫的控制；优化（001）GaAs/AlGaAs二维电子气样品的生长条件，获得高质量的样品；采用剥离技术去除衬底制备透射样品，利用时间分辨法拉第旋转（透射几何）和超快磁光光谱的实验技术，进行自旋动力学和自旋输运特性的实验研究，为探索基于自旋量子器件的实现打下基础

中文关键词： 自旋电子学;超快磁光光谱;量子阱;分子束外延

英文摘要：

英文关键词：