低功耗三维氧空位离子晶体管的制作与开关机制研究

项目名称： 低功耗三维氧空位离子晶体管的制作与开关机制研究

项目编号： No.61404064

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 王琦

作者单位： 兰州大学

项目金额： 26万元

中文摘要： 伴随着电子设备的小型化与低功耗趋势，基于离子迁移形成导电通道的纳米离子器件有望构建新一代计算系统。其中不需要外接选择器件的三端离子晶体管，由于其结构简单，是具有应用前景的新一代非挥发性存储与逻辑运算基础元件。已报道的两种机理离子晶体管，由于器件本身原理所限和性能上的缺陷，不能满足应用的要求。本项目以申请人近期报道的一种基于氧空位迁移的三维离子晶体管原型为基础，研究阻变层中电场分布对调控晶体管开关状态的影响机制。通过优化源漏电极间距与阻变层厚度比例、优化阻变层微结构与栅电极材料，实现对电场分布的调节，分析影响氧空位有效迁移的机制，从而有效降低晶体管的开关电压。项目的实施对进一步推动离子基晶体管的研究，实现离子晶体管的应用将具有科学研究意义。

中文关键词： 晶体管；原子开关；阻变存储器；氧化物半导体；低功耗

英文摘要： With the trend of the miniaturization of electronic devices and low power consumption, nanoionic devices are promising candidates in developing next generation computing systems. The three-terminal nano ion transistor is one of the most promising storage

英文关键词： transistor；atomic switch；ReRAM；oxide semiconductor；low power