高功率激光触发时高偏置场强GaAs光导开关光电导机理研究

项目名称： 高功率激光触发时高偏置场强GaAs光导开关光电导机理研究

项目编号： No.51407170

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 电工技术

项目作者： 刘宏伟

作者单位： 中国工程物理研究院流体物理研究所

项目金额： 25万元

中文摘要： 高功率激光触发时高偏置场强GaAs光导开关表现出与传统非线性模式不同的工作特性，例如无明显的电流丝现象、大电流条件下的长寿命等。本项目针对这一现象开展研究，通过不同实验条件下开关电学性能及瞬态图像的分析，明确高功率激光触发时高偏置场强GaAs光导开关内载流子的产生过程，在此基础上通过理论分析建立开关电阻模型并与实验结果进行对比，综合材料参数、触发光参数和外电路参数对开关光电导特性的影响，结合建立的电阻模型从载流子的产生及复合的角度分析其光电导机理；分析该条件下光导开关性能退化的影响因素，提出在该条件下进一步提高开关寿命的方法。从而推动GaAs光导开关在重复频率脉冲功率技术中的应用。

中文关键词： 砷化镓；光导开关；高偏置场强；高功率激光；光电导

英文摘要： GaAs PCSS has shown different features from traditional non-linear mode at high bias electric-field (above the threshold of non-linear mode) and high power laser such as no obvious current filament and long lifetime at high current conditions. This projec

英文关键词： GaAs；PCSS；High bias electric-field；High power laser；Photoconductivity