强电场极化氮化硅的二阶光学非线性及相关光子器件的研究

项目名称： 强电场极化氮化硅的二阶光学非线性及相关光子器件的研究

项目编号： No.61405198

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 王凌华

作者单位： 中国科学院福建物质结构研究所

项目金额： 25万元

中文摘要： 具有各类非线性效应的集成光子器件，对未来新型高速全光通信和信号处理具有非常重要的理论和现实意义，因而其研究成为目前光电子学器件领域最活跃的前沿方向之一。本项目基于一种常规的半导体材料——氮化硅，将主要研究氮化硅材料自身及其与氧化硅材料组成的多层界面结构的二阶非线性光学特性，并探索通过高温下强电场极化的方式来诱导激发以增强此二阶非线性的方法和手段，获得最佳的诱导激发条件。在此基础上，研究不同结构波导的色散特性，以及基频光与倍频光在不同偏振条件下不同阶次模式之间的相位匹配条件。通过合理的设计及优化的微纳加工工艺，获得传输损耗低，稳定性高、转换效率高的平面集成型二阶非线性光子器件原型。为今后进一步研发构成下一代光通信和高速全光信号处理系统硬件基础的核心光子学功能器件，提供理论基础和技术平台。

中文关键词： 氮化硅；光波导；光子集成；光学非线性；

英文摘要： For future high speed all-optical communication and signal processing, integrated photonic devices owning different nonlinear functions are of great importance, and the research about this field become quite active recently. In this proposal, a normal sem

英文关键词： silicon nitride；optical waveguide；photonic integration；optical nonlinearity；