纳米尺度下硫系化合物相变材料非晶态、晶态相变机理和导电机制的研究

项目名称： 纳米尺度下硫系化合物相变材料非晶态、晶态相变机理和导电机制的研究

项目编号： No.60976001

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 徐岭

作者单位： 南京大学

项目金额： 36万元

中文摘要： 以硫系化合物相变存储材料，包括锗锑碲或硅锑碲等作为存储介质的相变存储器（PCRAM），具有器件操作原理简单、非易失性、读写信息速度快、抗电子干扰和优异的缩微能力等特点，被认为目前最有希望成为未来可通用的新一代非挥发性存储器；要体现其优越性和竞争性，就必须做成纳电子器件，因此纳米尺度下硫系化合物相变存储材料也是当前国际上的研究热点与前沿课题。 本课题利用我组具有自主知识产权的纳米球自组装刻蚀技术，在硅衬底上设计和形成纳米尺寸的硫系化合物相变材料阵列，研究相变材料在纳米尺度下的相变机理、输运性质和导电机制；探索超薄、超细相变材料晶化和非晶化转变温度、晶化激活能随维度与尺寸的变化规律。在此基础上，将常规的光刻工艺和纳米球刻蚀技术相结合，以硫系化合物纳米点阵为存储介质，自行设计研制亚30纳米级的硫系化合物纳米点阵相变存储原型器件，为未来器件的应用做准备。

中文关键词： 硫系半导体锗锑碲相变材料；电致相变；电学性质；；

英文摘要：

英文关键词： Phase-change materials；electrical properties；crystallization activation ene；；