硅基室温巨磁电阻的研究

项目名称： 硅基室温巨磁电阻的研究

项目编号： No.11174169

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 章晓中

作者单位： 清华大学

项目金额： 73万元

中文摘要： 2009年日本科学家Delmo等人在Nature上报导了他们利用多子注入的方式，在世界上第一次实现了Si基室温巨磁电阻效应，引起了很大的反响。但是他们还无法解释该磁阻的机理， 且他们的磁阻器件离应用还差很远。我们采用不同的思路，往Si中注入非平衡少数载流子（少子），也成功地实现了更显著的Si基室温巨磁电阻效应。我们的Si基室温巨磁电阻效应比Delmo组的大许多，而且驱动电压和功率比他们使用的分别小1个和2个数量级， 我们的器件还具有很好的磁场灵敏度，这使得我们的Si基磁电阻器件具有更好的应用前景。本申请将采用理论结合实验的方法，研究如何优化Si基巨磁电阻器件的结构，搞清Si基室温巨磁电阻效应的机理，争取实现Si基室温低场巨磁阻效应，并争取做出有实用价值的Si基室温低场巨磁阻器件。本申请课题不仅具有重要的科学研究意义，还有很好的应用前景。

中文关键词： 硅；磁电阻；磁逻辑；磁存储；磁垂直异性材料

英文摘要：

英文关键词： silicon；magnetoresistance；magnetic logic；magnetic memory；perpendicular magnetization anisotropic material