基于带隙可调控特性的石墨烯/二硫化钼层状组装体的高效光探测器的研究

项目名称： 基于带隙可调控特性的石墨烯/二硫化钼层状组装体的高效光探测器的研究

项目编号： No.51373116

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 冯奕钰

作者单位： 天津大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 二维片层结构的石墨烯（GH）和二硫化钼（MoS2）具有特异的带隙特性。二者层间的范德华力和电子耦合可控制GH与MoS2形成层状组装体，从而利用层间电子作用调控材料的带隙、费米能级和能带等结构。本项目在合成具有特定电子和表面结构的单层GH和MoS2的基础上，利用GH的官能团与Mo前驱体之间的相互作用，控制MoS2在含特定sp2-π键GH的曲面处成核生长，实现自组装和电子结构的调控，从而获得带隙可调的三维层状组装体。总结影响GH与MoS2层层组装的成核物理模板和相互作用。重点研究GH和MoS2的片层结构，界面特性和电子耦合作用对于改变其能级结构，直接或间接带隙和电子跃迁的影响规律。通过带隙结构的调控，显著提高对不同频带光源的接收和感应的能力，改善光电流的响应速率、开关比、可逆性和循环稳定性，揭示其在光激发跃迁、弛豫过程中的作用，为制作快速响应、高分辨光探测器，实现其对特定光源探测的可控奠定基础

中文关键词： 二硫化钼；带隙；掺杂；光电晶体管；电子相互作用

英文摘要： Unique bandgaps of two dimensional (2D) graphene (GH) and molybdenum disulfide (MoS2) exhibited distinctive layer-structure dependence. A layered assembly of GH/MoS2 could be prepared based on van der Waals forces and electron coupling at the interface to

英文关键词： molybdenum disulfide；bandgap；doping；photo-transistor；electronic interaction