纳米SOI FinFET的单粒子辐射损伤机理，可靠性表征方法与耦合模型研究

项目名称： 纳米SOI FinFET的单粒子辐射损伤机理，可靠性表征方法与耦合模型研究

项目编号： No.61376099

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 刘红侠

作者单位： 西安电子科技大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 项目研究新型SOI FinFET器件的单粒子效应产生机理与影响因素，提出SOI FinFET抗单粒子效应加固方法。研究SOI FinFET中，重离子导致的单粒子瞬态电流的产生过程和基本物理机制。对比分析不同注入位置和漏极电压偏置下SOI FinFET单粒子瞬态电流，明确单粒子效应的不同电荷收集方式在器件中产生和消失的物理过程。通过分析总剂量和单粒子效应的耦合效应，实现单粒子和总剂量的耦合辐射效应研究。研究SRAM的单粒子效应，得到SRAM的翻转阈值等关键参数。对比纳米级SOI 单粒子效应的仿真和实验结果，分析新结构器件的辐射失效机理，建立辐射损伤的物理模型，模型误差<8%。研究成果可直接应用于纳米SOI FinFET可靠性提升和辐射损伤防护中，为纳米工艺抗单粒子效应器件电路设计加固提供理论基础和可靠性表征方法。拟在国内外重要期刊发表论文15篇，国家发明专利3项，培养博士生6名，硕士生6名。

中文关键词： SOI FinFET；SRAM单元；单粒子效应；双极放大；临界翻转电荷

英文摘要： The project investigates the generating mechanism and impact factors of the single event effects in the novel SOI FinFET devices and proposes the reinforcement method of the SOI FinFETs resistance to single event effects. The generating process and the ba

英文关键词： SOI FinFET；SRAM cell；Single Event Effect；Bipolar amplification；Critical charge