超薄可控金属硅化物的形成工艺及机理研究

项目名称： 超薄可控金属硅化物的形成工艺及机理研究

项目编号： No.61176090

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 吴东平

作者单位： 复旦大学

项目金额： 60万元

中文摘要： 在过去的40多年里，集成电路技术基本上一直遵循着摩尔定律而快速地发展。现在最先进的集成电路技术已经达到32纳米技术代的水平，而集成电路的核心元件金属氧化物场效应晶体管的物理栅长已经缩微到32纳米左右。形成厚度小于10纳米的超薄、可控且厚度可调的金属硅化物薄膜是形成未来技术代极小尺寸晶体管的关键技术。本项目通过研究超薄金属硅化物的自限制饱和形成机理，重点针对超薄可控的硅化镍（NiSi、NiSi2）、镍钴合金硅化物（Ni1-xCoxSi2）和镍铂合金硅化物（Ni1-xPtxSi）的形成机理、工艺技术和薄膜特性进行研究，并着重研究在三维器件结构上形成超薄、均匀、可控且厚度可调的金属硅化物工艺，从而为形成满足未来16、11和8纳米等多个技术代集成电路晶体管中的金属硅化物提供理论基础和技术支撑。

中文关键词： 集成电路；晶体管；金属硅化物；超薄可控；薄膜

英文摘要：

英文关键词： Integrate circuit；Transistor；Silicide；Ultra-thin and thickness-controlled；Film