新型氧化物纳米晶电荷存储器件的存储特性研究

项目名称： 新型氧化物纳米晶电荷存储器件的存储特性研究

项目编号： No.61176124

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 殷江

作者单位： 南京大学

项目金额： 85万元

中文摘要： 为了解决传统电荷俘获型存储器件小型化过程中遇到的物理及材料问题，我们提出了一种基于非晶基体包裹的氧化物纳米晶作为电荷俘获介质的新型电荷存储器件结构。与传统的电荷俘获介质Si3N4相比，基于新结构的氧化物纳米晶电荷俘获介质具有电荷存储密度高、抗电荷侧向迁移能力强及电荷保持性能优异等特点。利用Al2O3等高-k氧化物薄膜作为隧穿层介质，在获得小的与SiO2的等效厚度的同时，降低漏电流密度，利用Al2O3等高-k氧化物薄膜作为阻挡层介质，研究与阻挡层具有友好界面及匹配功函数的栅电极。我们将探索使用含不同氧化物纳米晶多层电荷俘获材料结构来增加器件的电荷存储密度，及单层含有不同氧化物纳米晶电荷俘获材料结构来调节器件存储特性的新途径，研究不同物理条件下氧化物纳米晶电荷俘获器件的存储特性，综合利用光学及电学测试手段研究氧化物纳米晶电荷存储器件的电荷俘获机制，利用现代微加工工艺制备存储器件单元。

中文关键词： 氧化物纳米晶；高k氧化物多层膜；电荷存储器件；存储特性；高k复合氧化物

英文摘要：

英文关键词： oxide nanocrystal；high-k multilayered film；charge-trapping memory device；memory property；high-k oxide composite