AlGaN/GaN HEMT飞秒超快特性的研究

项目名称： AlGaN/GaN HEMT飞秒超快特性的研究

项目编号： No.60976059

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 刘新宇

作者单位： 中国科学院微电子研究所

项目金额： 31万元

中文摘要： 本项目采用飞秒激光的泵浦－探测技术，对AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）的超快特性进行研究，通过对电子在金属－半导体接触中输运过程，外延材料中缺陷密度的分布和三角形势阱中沟道电子带间跃迁过程的揭示，获得在肖特基接触中载流子的分布信息以及沟道电子在能带剪裁和电场分布之间的相关物理信息，为进一步提高材料和器件性能打下基础。 本项目研究内容涉及飞秒激光技术和GaN基HEMT器件研制的交叉领域。把飞秒激光探测技术应用于AlGaN/GaN HEMT器件缺陷密度分布，以及肖特基接触中金－半接触间载流子输运的研究中，使微观信息同器件的宏观性能相结合，拓宽了飞秒技术的应用领域。

中文关键词： AlGaN/GaN HEMT；泵浦－探测技术；飞秒；瞬态透射谱；

英文摘要：

英文关键词： AlGaN/GaN HEMT；pump-probe technology；femtosecond；transition transmission；