项目名称: 超精表面加工中基于纳米颗粒接触原子磨损的无损伤去除机理研究
项目编号: No.51375255
项目类型: 面上项目
立项/批准年度: 2013
项目学科: 机械、仪表工业
项目作者: 郭丹
作者单位: 清华大学
项目金额: 85万元
中文摘要: 随着集成电路向32纳米及以下线宽技术发展,多层布线结构必须采用铜及低强度low k介质层材料布线技术,要求平坦化过程在较低的下压力条件下(小于1psi,比常规抛光下压力低一个数量级)以较高的表面材料去除率获得超光滑无损伤表面,给传统的化学机械抛光(CMP)技术带来了前所未有的挑战。本项目针对此问题,提出基于纳米颗粒接触原子磨损的无损伤去除新思路,探索低压力条件下超精表面加工的新方法。研究抛光液中纳米颗粒的物理化学作用、流体运动,化学机械作用等规律,研究不同压力下纳米颗粒与表面的作用形式及材料去除方式,以接触力学、流体力学、分子动力学、界面物理化学、摩擦学等原理为基础,建立适合低压力下纳米颗粒无损去除的抛光系统数学模型,探索新型低压力无损抛光技术及抛光机理,为下一代集成电路芯片的制造提供技术和理论支持。
中文关键词: 纳米颗粒;化学机械抛光;原子磨损;材料去除;
英文摘要: With the technology development of the integrated circuit line width to 32 nm and below, it is unavoidable for multi-layer cabling structure to apply copper and Low k dielectric layer material with low strength. This requires the planarization process be
英文关键词: nanoparticle;CMP;atomic attrition;material removal;