太赫兹器件在片去嵌方法研究

项目名称： 太赫兹器件在片去嵌方法研究

项目编号： No.61401457

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 姚鸿飞

作者单位： 中国科学院微电子研究所

项目金额： 26万元

中文摘要： 半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段(0.1-10 THz)，从而推动了以固态器为基础的太赫兹单片集成电路(TMIC)的出现。TMIC的设计需要有器件的本征参数作为依据，因此必须通过去嵌来剔除器件外围的互联寄生。然而，在THz频段，由于波长的缩短，寄生的影响加剧，电磁场的传输已不再遵循在低频段的横向电磁场（TEM）特性，使得去嵌变得非常艰难。 电信号的传输本质在于基于麦克斯韦方程的电磁场的传播，寄生的本质在于高次模式传输。本项目拟采用基于模式匹配的多模传输理论和基于有限元的数值计算方法对THz去嵌电路中最本质的电磁场传输特性进行分析，研究THz横电(TE)、横磁(TM)等高次模式的传输特性, 探讨其传输特性与频率、电路尺寸之间的关系，得出抑制高次模式降低电路寄生的方法。在此基础上，改进去嵌算法，制作去嵌电路和进行测试验证，实现太赫兹器件在片去嵌。

中文关键词： 太赫兹频段；太赫兹单片集成电路；寄生；多模传输理论；去嵌

英文摘要： The cutoff frequency of semiconductor devices has exceeded terahertz，which promotes the development of solid-state terahertz monolithic integrated circuits (TMIC). Design of TMIC requires the intrinsic parameters of devices so that the de-embedding bec

英文关键词： Terahertz；terahertz monolithic integrated circuits；intrinsic parameters；multi-mode theory；de-embedding