高电压高倍增砷化镓光电导开关关键技术研究

项目名称： 高电压高倍增砷化镓光电导开关关键技术研究

项目编号： No.10876026

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2009

项目学科： 化学工业

项目作者： 施卫

作者单位： 西安理工大学

项目金额： 36万元

中文摘要： 研究电压100 kV/直流、电流大于1kA、脉冲宽度100ns的高电压高倍增砷化镓光电导开关；在已有工作基础之上，研究非平衡态下GaAs 中高密度电子-空穴等离子体导致开关进入非线性工作模式的起因、稳定性条件和控制方法。探索光电导开关在强电场作用下因光子诱发电荷畴引导电流成丝的物理规律，通过改进GaAs芯片性能来改善触发导通瞬态过程中光电导开关芯片电场的分布，达到抑制丝状电流的形成。深入GaAs光电导开关电极欧姆接触工艺研究，设计出结构合理的开关结构，完成上述指标的实验测试分析，在实验与理论分析的基础上，给出开关芯片材料处理的优化方法和GaAs光电导开关电极欧姆接触的合理设计及开关制备的工艺方案，使GaAs光电导开关在强电场偏置下通过光子诱发电荷畴模式实现高电压高功率超短电脉冲。

中文关键词： 光电导开关；高倍增模式；丝状电流；高功率超短电脉冲

英文摘要：

英文关键词：