位错对金属GaN肖特基接触界面漏电的影响机制研究

项目名称： 位错对金属GaN肖特基接触界面漏电的影响机制研究

项目编号： No.61404158

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 刘磊

作者单位： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

项目金额： 22万元

中文摘要： 金属GaN肖特基接触是GaN器件中非常重要的单元结构，目前许多GaN器件中肖特基接触的反向漏电流都远高于经典模型的理论计算值，漏电流过大将会对器件的诸多关键性能如可靠性、寿命、功率损耗等产生不利影响。为了能减小漏电流，进一步提升器件性能，有必要深入研究影响GaN基肖特基接触漏电流的关键因素。目前研究者普遍认为GaN材料中的位错对肖特基接触的漏电流有着重要影响，但其所起到的关键作用还不是很清楚，也存在很多争议。本项目拟以低位错密度的GaN自支撑衬底为基础制备垂直结构的肖特基二极管，然后在对肖特基接触界面宏观漏电特性测试的基础上，开展微观的表征测量，并综合两者的结果来系统地研究位错对肖特基接触漏电流的影响机制，确定不同类型的位错以及位错的分布位置、聚集状态等对漏电流的影响，以及在无位错情况下肖特基接触界面的漏电机制。研究成果的取得将有助于控制减小GaN器件的漏电流，从而进一步提升器件的性能。

中文关键词： 氮化镓；肖特基二极管；漏电；位错；自支撑衬底

英文摘要： For GaN-based metal semiconductor ？eld-effect transistors, power recti？ers, and ultraviolet photodetectors, Schottky contacts are the key element for device operation at high power and low leakage current. However, obtaining high-quality Schottky contacts

英文关键词： GaN；Schottky Barrier Diode；leakage；dislocation；free-standing substrate