磷注入原位合成InP熔体的反应机理及相关晶体生长缺陷研究

项目名称： 磷注入原位合成InP熔体的反应机理及相关晶体生长缺陷研究

项目编号： No.51401186

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 王书杰

作者单位： 中国电子科技集团公司第十三研究所

项目金额： 25万元

中文摘要： 磷注入原位合成技术能够快速合成InP熔体。磷注入原位合成与晶体生长结合能够获得高纯晶体，是制备磷化铟晶体最有前途的方法之一。尽管目前在工艺上已经基本实现了对磷注入式InP熔体合成的控制，但由于对整个原位合成体系的反应热力学与动力学机制尚未进行深入研究，造成工艺突破困难、磷化铟晶体制备成本居高不下。另外，合成后的熔体成分对晶体固液界面形貌和晶体缺陷的影响也缺乏系统的认识。本项目拟对上述问题，研究在合成体系中固体磷的分解、传输、气态磷与铟熔体的界面反应和熔体中磷原子的扩散过程，从而揭示体系的合成机理，进而实现对磷-铟熔体合成过程的稳定控制；同时探索合成后的熔体配比度、晶体生长条件、晶体固液界面稳定性和相关缺陷形成之间的联系，探索最佳熔体配比成分范围。本项目研究将为提高晶体的成晶率提供理论和工艺基础，具有重要的理论和应用意义。

中文关键词： 磷化铟；原位合成；晶体生长；晶体缺陷；合成动力学

英文摘要： The method of in situ P-injection synthesis can quickly synthesize InP melt. Thus, the combine between in-situ synthesis and crystal growth can obtain high purity of InP crystals, which is one of the most promising techniques for the preparation of InP si

英文关键词： Indium phosphide；In situ synthesis；Crystal growth；Crystal defects；Synthesis kinetics