空位掺杂对Heusler合金磁性和电子结构的调控

项目名称： 空位掺杂对Heusler合金磁性和电子结构的调控

项目编号： No.50901028

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 罗鸿志

作者单位： 河北工业大学

项目金额： 20万元

中文摘要： 利用空位掺杂调控Heusler合金的磁性与电子结构，通过向半Heusler合金的晶体学空位中引入其它过渡族或主族元素实现对其能带结构的调控与设计，合成新的磁性功能材料。前期工作已经发现了一类新的半金属材料CoFexCrAl，其磁性与能带结构随Fe进入空位变化明显；通过向空位中引入主族元素如Al和Ga，合成了一系列富主族元素Heusler合金XYZ2,初步研究表明，它也具有L21型高有序结构，与常规X2YZ型Heusler合金相同，但含有高达50%的主族元素，因此其磁性和电子结构与前者有很大差异，目前在其中已经发现了CoMnAl2等一系列高自旋极化率材料；此外我们还合成了新的铁基磁性形状记忆合金Fe1.2MnGa。采用这种方法，本项目将对空位掺杂后材料的成相与晶体结构，能带结构、基本磁性等一系列物性进行深入研究，找出电子结构随空位掺杂的变化机制，为实验提供理论指导，开发新的磁性功能材料。

中文关键词： Heusler合金；掺杂；电子结构；磁性；

英文摘要：

英文关键词： Heusler alloys；doping；electronic structure；magnetic properties；