高InN组分InGaN材料生长机理的研究

项目名称： 高InN组分InGaN材料生长机理的研究

项目编号： No.61176008

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 刘玉怀

作者单位： 郑州大学

项目金额： 65万元

中文摘要： 高InN组分InGaN材料的发光涵盖从紫外到红外波段，可望应用于新型光纤通信光源、无荧光粉白光LED、以及太阳能电池等。然而，目前该材料的生长尚十分困难，主要表现为InGaN材料中InN组分不均匀分布（相分离）、缺陷密度高以及表面平整度差等问题。为此，需要提高生长温度，以改善固溶特性和提高晶体质量。但InN的热分解温度约为600摄氏度，很难进行高InN组分InGaN的高温生长。针对此现状，提出加压有机金属气相生长方案，探索生长压力与最高可生长温度的关系、温度和原料供应比例对InGaN相分离的影响，研究加压条件下蓝宝石基片的偏角及氮化处理对InGaN的初期成核过程的作用以及后续生长薄膜中缺陷密度的影响，并通过反应室的流场以及生长动力学的模拟，研究生长压力对原料供应和InGaN表面形貌的效果。该研究有助于揭示高InN组分InGaN的生长机理、改善其质量、促进其在各种器件中的应用。

中文关键词： 氮化铟；铟镓氮；加压有机金属气相沉积；氮化铟组分；生长机制

英文摘要：

英文关键词： InN；InGaN；Pressurized Metal Organic Vapor Phase Epitaxy；InN Composition；Growth Mechanisms