Bi1-XRXFeYCo1-YO3磁电信息功能材料制备、性能及调制研究

项目名称： Bi1-XRXFeYCo1-YO3磁电信息功能材料制备、性能及调制研究

项目编号： No.61172027

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 电子学与信息系统

项目作者： 张曰理

作者单位： 中山大学

项目金额： 60万元

中文摘要： 铁酸铋类室温磁电信息功能材料在新型信息存储器件领域有着巨大的应用前景，但由于其漏电大、磁性弱，不易得到高质量薄膜而受到极大限制。本项目拟采用磁控溅射和激光脉冲沉积技术，实现Bi1-XRXFeYCo1-YO3(BRFCO,R=La、Dy、Gd、Ho)磁电信息功能薄膜的可控生长制备工艺；通过研究薄膜制备工艺对其晶态结构、取向、形貌及电、磁性能的影响, 以及氧化物缓冲层对衬底与磁电薄膜层界面与扩散的影响，探索最佳生长制备条件以获得高质量、漏电小、强磁电BRFCO薄膜；研究薄膜组分、应力对其晶相结构调制及性能影响关系；通过对不同组分结构薄膜I-V、磁性及磁电调制研究分析，结合第一性原理计算模拟，从理论上深入探究BRFCO薄膜漏电及磁性加强的微观机制。本课题重点解决BRFCO薄膜可控生长及漏电问题；建立薄膜中界面和交换相互作用的漏电及磁性加强物理模型，为研究和开发超新型信息功能材料提供指导。

中文关键词： 磁电效应；信息存储；功能薄膜；漏电机制；磁电调制

英文摘要：

英文关键词： magnetoelectric effect；information storage；functional films；leakage mechanisms；magnetic-electric modulation