用于亚40纳米先进金氧半绝缘体上硅技术的精简模型研究

项目名称： 用于亚40纳米先进金氧半绝缘体上硅技术的精简模型研究

项目编号： No.61176076

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 郭正邦

作者单位： 北京大学

项目金额： 58万元

中文摘要： SOI 材料是国际上公认的新一代硅材料，可以用在20nm及更高级节点制程的电子设备上，拥有极佳的发展前景。准确和高效的模拟SOI器件行为对于以亚40纳米先进金氧半绝缘体上硅技术制作的电路是极其重要的。因为SOI器件特有的浮体效应，精确的模拟该器件的行为是很困难的，当前学术界及工业界对于SOI器件浮体效应的了解仅仅局限于直流情况，而瞬态情况下的浮体效应还有很多问题亟待解决。现在急需一个能兼顾准确性、效率和灵活性的，模拟SOI器件瞬态浮体效应的精简模型。该模型应能针对不同的器件结构以及最新的电路设计技术，模拟出SOI器件的瞬态特性，并能被嵌入到各种电路模拟系统中。基于此，我们提出"用于亚40纳米先进金氧半绝缘体上硅技术的精简模型研究"项目，争取在3-4年内，在我们过去对SOI器件丰富的研究成果的基础上，给出完整而可靠的关于SOI器件瞬态浮体效应的精简模型，并形成一套有效的电路仿真工具。

中文关键词： 绝缘体上硅；CMOS 器件；模型；；

英文摘要：

英文关键词： silicon on insulator；CMOS devices；modeling；；